イオン注入・成膜・分析の技術と設備をあらゆる分野のイノベーションにつなげる

株式会社イオンテクノセンター 株式会社イオンテクノセンター
ENGLISH JAPANESE
お問い合わせ
HOME > イオン注入とは

イオン注入とは

イオン注入とはイオン化した物質を固体に注入することによって、その固体の特性を変化させる加工方法です。
半導体製造における前工程などでは、イオン注入を用いることによって、ウェハに適度な不純物を導入することができ、半導体デバイス特性を向上させることができます。

イオン注入とは

イオン注入

イオン注入装置

イオン注入装置

注入の流れ



①イオン源
目的とする元素のイオン発生
矢印
②質量分析器
多種類のイオンを質量と電荷の違いによって分離
矢印
③分析スリット
必要なイオンのみを選択し加速管にイオンを導入
矢印
④加速管
所定のエネルギーにイオンを加速
矢印
⑤偏向器
粉体注入のためにビームを偏向
矢印
⑥Qレンズ
ビームを整形
矢印
⑦走査器
イオンビームをX‚Y方向に走査
矢印
⑧エンドステーション
試料(基材)への注入
 自動搬送エンドステーション
イオン注入へ
ページトップへ

SiCへの高温イオン注入

下図の通り、室温注入と高温(500℃)注入でのダメージの差が大きいことがわかります。高温注入することによって、半導体への注入ダメージを緩和することができます。

SiC等化合物半導体への注入温度別の注入イメージ

高温注入へ

SiCへの高温アニール

下図の通り、高温(500℃)注入後のアニール処理でさらにダメージを抑えることがわかります。

SiC等化合物半導体への注入温度別の注入イメージ
とアニール処理後のダメージの変化

高温高速アニール
ページトップへ