イオン注入・成膜・分析の技術と設備をあらゆる分野のイノベーションにつなげる

株式会社イオンテクノセンター 株式会社イオンテクノセンター
ENGLISH JAPANESE
お問い合わせ
HOME > アニール活性化

アニール活性化

SiC半導体では、ドーパント活性化のための高温アニールが必須ですが、アニール温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。
高温アニールだけでなく、カーボンキャップ膜成膜のニーズにもお応え致します。

高温高速アニール

化合物半導体の活性化に必要とされている高温高速アニールが可能です。

高温高速アニール装置

加熱システム
縦型高周波誘導加熱方式
加熱温度
~1800℃
最大加熱温度まで約2分で到達
雰囲気
Ar 、N2
試料のサイズ
小片5mm□から
6inchまで
試料の種類
SiC‚GaNなど
機材
SICへの高温イオン注入

カーボンキャップ膜 成膜

アニール前にキャップ膜を成膜することにより、表面荒れを緩和することが可能です。

PBII(Plasma Based Ion Implantation)

方法
アセチレン(C2H2)を反応させて表面に膜を堆積させます。
*ガスを原料としてプラズマで分解して成膜することから、CVDに近い手法です。
膜種
DLC膜
膜厚
標準:70nm(その他膜厚も可能)
成膜レート
標準:約7nm/min.
対応サイズ
小片5mm□から6inchまで
プラズマを発生させる高周波

カーボンキャップ膜の効果

アニール

一括受託可能

アニール
ページトップへ