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成膜

半導体・デバイスといった微小部品から多種多彩な工業製品まで、現代における製造工程に欠かせない成膜技術。

イオンテクノセンターでは、半導体工程の一部である、電極形成、酸化膜等の成膜に加え、金型といった工業製品まで、多種多様な基材への成膜に対応しております。

技術

CVD

化学蒸着。薄膜構成元素を含む原料ガスを基板上で熱・プラズマ・光等により化学反応させて薄膜を作る手法。

PVD

物理蒸着。材料を真空中で何らかの方法(蒸発・スパッタリング)で気化し、基板上に堆積させて薄膜を作る手法。

CVD

成膜手法
LP CVD
膜種、膜厚
アモルファスシリコン5~2000nm
SiO25~2000nm
Poly Si15~2000nm
SiN3~400nm
試料のサイズ
~12inch

アニール前にキャップ膜を成膜することにより、表面荒れを緩和することが可能です。

PBII(Plasma Based Ion Implantation)

方法
アセチレン(C2H2)を反応させて表面に膜を堆積させます。
*ガスを原料としてプラズマで分解して成膜することから、CVDに近い手法です。
膜種
DLC膜
膜厚
標準:70nm(その他膜厚も可能)
成膜レート
標準:約7nm/min.
対応サイズ
小片5mm□から6inchまで
プラズマを発生させる高周波

PVD

成膜手法
スパッタ
膜種
金属膜、酸化膜、窒化膜、合金膜、セラミック
(Al、Mg、Fe、ITO、IZO、Ti、Ni、Zn ・・その他多種多様)
試料のサイズ
~12inch
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