イオン注入・成膜・分析の技術と設備をあらゆる分野のイノベーションにつなげる

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半導体プロセスサービス

研究開発のためのサンプル作製から量産請負まで、半導体の前工程のあらゆるプロセスの
受託サービスを行っています。

半導体

ウェハーの酸化

矢印

フォトレジスト塗布

矢印

パターン形成

矢印

エッチング

矢印

イオン注入

矢印

活性化アニール

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熱処理

熱拡散

用途
酸化膜形成、不純物拡散、Pドープ
加熱方式
横型、縦型拡散炉
ガス
O2、Ar、N2、POCl3
温度
800~1200℃
対応サイズ
~12inch

シンター

用途
シンター
ガス
H2、N2
温度
350~600℃
対応サイズ
~12inch

フォトリソ

ステッパーなどの装置

サイズ
4inch ~12inch
解像度
0.5μm程度から対応可能

※マスク作製は要相談

機材

エッチング

深堀ドライエッチ装置

サイズ
4inch ~12inch
(小片などは要相談)
深さ
~数十ミクロンまで対応可
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