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ウェハ

膜付テストウェハ

ALD(Atomic Layer Deposition)

膜種
ALD-SiO
屈折率
1.55(実測値)
膜厚
10nm(10.1nm)(実測値)
膜厚面内均一性
<1% (1σ)
ウエハサイズ
12inch
ウエハ種類
Siウエハ
(再生ウエハ:板厚700-750μm)
異物レベル
-10個/ウエハ(size:>0.16μm)
特長
・極薄膜
・良好なステップカバレッジ
・低サーマルバジェット(熱履歴)
・低温での膜形成が可能

■膜種、膜厚などの詳細はご相談下さい。(ALD-SiN、PE-TEOS)

■Atomic Layer Despositionは、反応ガスをウエハ表面に吸着させることで原子レベルの堆積が可能となり、これを繰り返すことで、極めて被膜性の良い薄膜が形成出来る技術。下記のような特徴があります。

イオン注入済ウェハ

Ion Implantation

注入イオン種
60種以上
(B‚C‚N‚F‚AI‚Si‚P‚Ti‚Fe‚As,BF2…)
注入エネルギー
10keV~5MeV
ドーズ量
~1E+16
ウエハサイズ
2inch ~12inch
ウエハ種類
Si SiC GaN InP MgO GaAs
石英 その他
ウエハ板厚
600~750μm)
仕上げ
両面研磨、片面研磨
アニール処理
高温処理も可能

◆ご希望に合わせた条件でのイオン注入が可能です。

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