【2017.10.25】応用物理学会 先進パワー半導体分科会 出展のご案内
イオンテクノセンターは「応用物理学会 先進パワー半導体分科会」に出展致します。
皆様のご来場を心よりお待ちしております。
【開催期日】2017年11月1日（水）～11月2日（木）
【開催場所】名古屋国際会議場
【小間番号】26
名古屋国際会議場へのアクセス
【ポスター発表】
・高温でイオン注入されたGaN基板のTEMによる結晶性評価 （ⅡB-17）
【日時】2017年11月2日（木）14：00～15：15
【会場】 ポスターセッションII（イベントホール）
☆主なご案内内容☆
・シリコンから化合物、小片サンプルからウエハへのイオン注入及びデバイス製造プロセスの受託サービス
・化合物半導体の分析技術
※イオン注入＆受託分析などについて詳しく丁寧にご説明させていただきます。