弊社社員によるGaN半導体のイオン注入シミュレーションに関する研究論文が、法政大学イオンビーム工学研究所の学術機関リポジトリに掲載されました。本研究は、半導体プロセスの高精度化に貢献する成果として公開されています。
掲載論文集：Proceedings of the 44th Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University, Vol. 44, 2026, pp. 45-63.
題名：ION IMPLANTATION SIMULATION BY MARLOWE