皆様のご来場を心よりお待ちしております。
【開催期日】
2018年3月17日（土）～3月20日（火）
【開催場所】
・早稲田大学西早稲田キャンパス（口頭講演会場）
・ベルサール高田馬場（ポスター講演・展示会場）
会場へのアクセス
◎一般セッション（口頭講演）
講演番号 19a-C302-10
高温でイオン注入されたGaN基板のTEMによる欠陥評価
前川順子 1、川野輪仁 1、青木正彦 1、高廣克己 2、一色俊之 2
（1 ㈱イオンテクノセンター 2 京都工芸繊維大学）
【日時】2018年3月19日（月） 11:30～11:45
【会場】早稲田大学 西早稲田キャンパス C（52号館）
◎展示会 JSAP EXPO Spring2018
【日時】
2018年3月17日（土） 12:00 ～ 18:00
2018年3月18日（日）・19日（月） 9:30 ～ 18:00
2018年3月20日（火） 9:30 ～ 15:30
【会場】 ベルサール高田馬場
【小間位置】 M-4
☆主なご案内内容☆
・イオン注入から成膜、その他工程の受託サービス
・弊社の受託分析サービス
※イオン注入＆受託分析などについて詳しく丁寧にご説明させて頂きます。