皆様のご来場を心よりお待ちしております。
【開催期日】2018年11月6日（火）～11月7日（水）
【開催場所】京都テルサ
【小間番号】18 （会場配置図）
◎ポスター発表
・高温でイオン注入されたGaN基板のTEMによる結晶性評価（ⅡA-5）
【日時】2018年11月7日（水） 13:30～14:45
【会場】ポスターセッションⅠＡ
・チャネリングRBSによるSiC格子位置不純物の定量評価（ⅡB-6）
【日時】2018年11月7日（水） 14:45～16:00
【会場】ポスターセッションⅠＢ
☆主なご案内内容☆
・シリコンから化合物、小片サンプルからウエハへのイオン注入及びデバイス製造プロセスの受託サービス
・化合物半導体の分析技術
※イオン注入＆受託分析などについて詳しく丁寧にご説明させて頂きます。