皆様のご来場を心よりお待ちしております。
事前来場登録サイト（入場料￥3,000が無料になります）
https://jcd-event.smktg.jp/public/application/add/400?lang=ja
【開催期日】 2019年1月30日(火)～2月1日 10:00～17:00
【開催場所】 東京ビックサイト 東4-6ホール＆会議棟
交通アクセス
【小間位置】 （企業エリア）5Q-04 フロアマップ
【ご案内内容】
・物理分析
TEM、XPS、RBS、SIMS、SEMなどの装置を用いて
DLC評価、形状測定、結晶性評価、硬度評価、深さプロファイル評価、電気的特性評価など ナノオーダー組成・状態・物理分析の短納期ご提案。
・デバイス加工
イオン注入からアニール、成膜、その他工程のソリューション
・過去の研究実績
2010年～2018年に発表した共同研究を紹介いたします。
【2018学会発表内容】
Channeling RBSによるSiC格子位置不純物の定量評価
高温でイオン注入されたGaN基板のTEMによる欠陥評価（Ⅰ）（Ⅱ）
※イオン注入／アニール処理＆物理分析など詳しく丁寧にご説明させていただきます。