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5)二体散乱モデルによるイオン注入現象解析の課題

作成者: イオンテクノセンター|Aug 24, 2025 9:41:49 AM

シリコンへのチャネリング注入の基礎的な事柄を説明しています 。一般的に使用されているイオン注入現象の解析コードの課題とそれらを補完する例について触れています。

二体散乱モデルによるイオン注入現象解析の課題