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title: ５）二体散乱モデルによるイオン注入現象解析の課題
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# [５）二体散乱モデルによるイオン注入現象解析の課題](https://iontc.co.jp/news/５二体散乱モデルによるイオン注入現象解析の課題)

 作成者: [イオンテクノセンター](https://iontc.co.jp/news/author/イオンテクノセンター)｜Aug 24, 2025 9:41:49 AM

シリコンへのチャネリング注入の基礎的な事柄を説明しています 。一般的に使用されているイオン注入現象の解析コードの課題とそれらを補完する例について触れています。

[二体散乱モデルによるイオン注入現象解析の課題](https://iontc.co.jp/hubfs/5_%E4%BA%8C%E4%BD%93%E6%95%A3%E4%B9%B1%E3%83%A2%E3%83%87%E3%83%AB%E3%81%AB%E3%82%88%E3%82%8B%E3%82%A4%E3%82%AA%E3%83%B3%E6%B3%A8%E5%85%A5%E7%8F%BE%E8%B1%A1%E8%A7%A3%E6%9E%90%E3%81%AE%E8%AA%B2%E9%A1%8C.pdf)

 

 

 

 

 

 

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