SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析
GaN 基板へのSi イオン注入深さ分析
4H-SiCの評価
4H-SiCの観察_1
4H-SiCの観察_2
4H-SiCの観察_3
4H-SiCエピ層の積層欠陥の観察
6H-SiCの観察
3C-SiCの観察_1
3C-SiCの観察_2
量子井戸構造観察
デルタドープ層の観察
半導体レーザー素子の観察
SiC ポリタイプ変形観察
化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定
Si on SiC基板におけるSiの応力測定
歪みSi-SiGe の分析
歪みシリコンの観察
組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化
多層膜の深さ分析
異物分析
化学結合分析
マイクロESCA による分析
マイクロESCA によるマッピング
酸化膜の角度分解分析_1
酸化膜の角度分解分析_2
DLC の分析
DLC膜の結晶構造評価手法の検証
カーボン材料の分析
カーボンナノチューブの分析
カーボンナノチューブの観察例
多層カーボンナノチューブの観察
炭素粉末材料の格子定数、結晶子径の測定方法
チタン化合物の分析
プリント基板電極組成分析
半導体デバイスのレイヤー解析事例
軽元素組成分析・密度測定
イオン注入によるナノ結晶の形成に関する研究
レーザ同時照射による無欠陥イオン注入技術の開発
同時ドーピング法によるダイヤモンド価電子制御とn型化
イオン注入欠陥の観察
シリコンの分析
界面の観察
クラスターイオンビームプロセステクノロジー
極微量金属イオン注入制御による超機能耐環境材料の研究開発
SiC半導体の伝導性制御に関する研究
ZnO半導体薄膜デバイスの開発
加工・構造部材のナノ表面改質技術の高度化と応用に関する調査研究
高密度光デイスクメモリ用非球面レンズのナノレベル加工技術の研究
超格子/ナノ・ワイヤ及び磁場効果を利用した発電用エネルギー変換素子の基礎研究
エコ・テーラードトライボマテリアル創製プロセス技術の研究開発
エネルギー使用合理化燃焼等制御システム技術開発
安定性を向上させた全固体リチウム電池用新規無機電解質の開発
ゴム・プラスチック用高品位・低コスト金型の研究開発
複合機能部材構造制御技術の研究開発
銀イオンによる歯科用材料の抗菌性付与に関する研究
歯垢付着防止型骨形成歯科材料に関する調査研究