物理分析
電磁波や荷粒電子を用いた物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行っています。
主な装置は「TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。
サービス
受託分析
お客様からサンプルを預かり、分析結果を報告します。ご相談により分析手法をご提案させていただきます。
立会い分析
お客様に立ち会っていただき、その場で分析条件の設定から最終結果までを確認していただきます。
装置
表面分析
微少領域形態観察
受託サービスのご相談・お申し込み
二次イオン質量分析（SIMS）
スパッタされた2次イオンを質量分析。
不純物濃度の測定が可能。
・イオン注入サンプルのデプスプロファイル
Siに注入したPイオンのSIMSによる
深さ方向分布分析
化合物半導体系超格子サンプルのSIMSによる
深さ方向分布分析
弊社では、SIMSにより高感度で極微量の不純物を検出するご提案をしております。
基板への注入イオンのプロファイル評価や 薄膜上の微量不純物の測定に適しています。
「半導体材料の不純物濃度測定_SIMSによる不純物評価」のダウンロードはこちらから
X線光電子分光分析（ESCA・XPS）
多層膜の組成深さ分布評価
・各種材料の表面数nmの組成分析
・各種材料の表面数nmの結合状態評価
多層膜のESCAによる深さ組成評価
ステンレス不動態膜のESCAによる
化学結合状態評価
ラマン分光分析（RAMAN）
結晶状態を分析する手法。
DLCのRamanによる結晶性評価
ラザフォード後方散乱分析（RBS）
（H‚ He)のエネルギー分析により組成および結晶性を定量的に評価
チャネリングによる結晶性評価
・DLCのH量定量評価
・各種材料のチャネリングによる結晶性評価
SiN薄膜のRBSによる組成・密度分析
高温注入SiCのチャネリングによる結晶性評価
ラザフォード後方散乱分析（RBS）の概略についてまとめた
「ラザフォード後方散乱分析（RBS）」のダウンロードはこちらから
透過電子顕微鏡（TEM）
電子線回折により結晶構造解析が可能。
・半導体の格子レベルの欠陥解析
・局所的な結晶構造把握
・STEM/EDXによる局所的元素分析
SiC半導体の積層欠陥端部のTEMによる格子像観察
半導体TEGパターンの
STEM観察による薄膜測長
透過型電子顕微鏡（TEM)の概略についてまとめた
「透過型電子顕微鏡」のダウンロードはこちらから
走査電子顕微鏡（SEM）
組成によるコントラスト差の観察が可能。
SEM-EDXによる組成分析が可能。
・半導体故障解析
・各種材料表面凹凸及び組成の違いを把握
・各種材料断面構造の把握
半導体のパターンの断面SEM観察
多層カーボンナノチューブの
SEM観察
ナノ微少硬度計（Nano Indentation）
圧痕の表面形状観察が可能。
・DLCの硬度評価。
ナノインデンテーション圧子の
押し込み圧痕観察
ナノインデンテーションの
荷重-押し込み深さ曲線
原子間力顕微鏡（AFM）
表面凹凸を2次元、3次元で観察が可能。
・薄膜の原子ステップの把握
ITO膜のAFMによる表面粗さ評価
回折格子のAFMによる表面粗さ評価
弊社では、分析の目的、試料に合わせて適切な分析手法をご提案します。
ここでは、薄膜の形態観察において、電子顕微鏡（SEM、TEM）と原子間力顕微鏡それぞれの手法についてまとめた「薄膜の形態観察_半導体デバイス」の資料をご提供しています。
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X線回析装置（XRD、XRR）
組成によるコントラスト差の観察が可能。
SEM-EDXによる組成分析が可能。
XRR 膜厚、密度、粗さ評価が可能。
・各種材料の結晶構造評価。
XRR
・半導体薄膜の膜厚、密度、粗さ評価。
・DLCの膜厚、密度、粗さ評価。
黒鉛粉末のXRDによる結晶構造解析
DLC薄膜のXRRによる膜厚、膜密度評価
弊社では、分析の目的、試料に合わせて適切な分析手法をご提案します。
ここでは、薄膜の密度評価において、RBSとXRRそれぞれの手法についてまとめた「薄膜の密度評価」の資料をご提供しています。
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弊社では、各種方法を組み合わせて多様な視点から分析レポートをご提供することが可能です。
ここでは、DLC膜の物理評価の各種方法についてまとめた「DLC膜の物理評価」の資料をご提供しています。
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