MARLOWEコードをイオン注入のシミュレーションに使用する際、注入ドーズ量が高くなると、注入イオンによってはじき出されたダメージが結晶軸内に蓄積されてチャネリングを阻害する現象も考慮が必要です。イオン注入による欠陥情報と入射イオンの散乱をシミュレーションに反映することを順を追って説明しています。
> ダメージ蓄積モデルによるチャネリングシミュレーション
2025年8月にGaNへのチャネリングイオン注入に関する弊社の論文がJJAPに掲載されましたので、こちらもご覧ください。
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