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title: 第14回窒化物半導体国際会議2023 (ICNS-14)にて共著者として発表を行いました。
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# [第14回窒化物半導体国際会議2023 (ICNS-14)にて共著者として発表を行いました。](https://iontc.co.jp/service/randd/news/3)

 作成者: [イオンテクノセンター](https://iontc.co.jp/service/randd/news/author/イオンテクノセンター)｜Nov 17, 2023 3:41:29 AM

2023年11月12日から17日にかけてヒルトン福岡シーホークで開催された[第14回窒化物半導体国際会議](https://icns14.jp/)  
2023 (ICNS-14)にて共著者として下記の発表(2件)を行いました。

TuP-CH-15 （Poster） Evaluation of Electrical Properties of Mg Ion-implanted GaN Single Crystals using THz-TDSE   
Dingding Wang1 , Hayato Watanabe1 , Takashi Fujii1,3, Momoko Deura2 , Toshiyuki Iwamoto3 , Atsushi Suyama4 , Hitoshi Kawanowa4 , Tsutomu Araki1   
1 Col. of Sci.&Eng.,Ritsumeikan University, Japan, 2 R-GIRO, Ritsumeikan University, Japan, 3 NIPPO PRECISION Co., Ltd., Japan, 4 Ion Technology Center Co., Ltd., Japan 

 

GR3-2 （Oral） 17:50 - 18:05 Optical and Structural Properties of Praseodymium-Implanted AlN Films   
Kanako Shojiki1 , Shin-ichiro Sato2 , Ken-ichi Yoshida3 , Hideaki Minagawa3 , Hideto Miyake1   
1 Mie University, Grad. Sch. of Eng., Japan, 2 National Institutes for Quantum Science and Technology, Japan,   
3 Ion Technology Center Co., Ltd, Japan

 

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