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title: ６）チャネリングイオン注入の臨界角度に関する基礎
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# [６）チャネリングイオン注入の臨界角度に関する基礎](https://iontc.co.jp/service/ion_imp/topics/６チャネリングイオン注入の臨界角度に関する基礎)

 作成者: [イオンテクノセンター](https://iontc.co.jp/service/ion_imp/topics/author/イオンテクノセンター)｜Aug 24, 2025 5:53:30 AM

チャネリング現象の基本的な事柄である臨界角度について説明しています 。イオンが結晶軸に平行に近い角度で入射するとチャネリング現象により深く侵入しますが　結晶軸への入射角度が大きくなるにつれてチャネリングは阻害されます。入射角度の傾きがどれほど許容されるか、臨界角度を主に図を用いて説明しています。

> [チャネリングイオン注入の臨界角度に関する基礎](https://iontc.co.jp/hubfs/%E3%83%81%E3%83%A3%E3%83%8D%E3%83%AA%E3%83%B3%E3%82%B0%E3%82%A4%E3%82%AA%E3%83%B3%E6%B3%A8%E5%85%A5%E3%81%AE%E8%87%A8%E7%95%8C%E8%A7%92%E5%BA%A6%E3%81%AB%E9%96%A2%E3%81%99%E3%82%8B%E5%9F%BA%E7%A4%8E.pdf)

 

2025年8月にGaNへのチャネリングイオン注入に関する弊社の論文がJJAPに掲載されましたので、こちらもご覧ください。　

関連記事　[【論文掲載】応用物理学の学術誌JJAPに論文が掲載されました。](https://iontc.co.jp/news/2025.08.22-%E8%AB%96%E6%96%87%E6%8E%B2%E8%BC%89-%E5%AD%A6%E8%A1%93%E8%AA%8Cjjap%E3%81%AB%E8%AB%96%E6%96%87%E3%81%8C%E6%8E%B2%E8%BC%89%E3%81%95%E3%82%8C%E3%81%BE%E3%81%97%E3%81%9F)

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