研究開発実績

学術誌JJAPに論文が掲載されました。

作成者: イオンテクノセンター|Nov 17, 2023 3:19:46 AM

2023年2月27日にGaN自立基板へのMgチャネリング注入に関する研究成果が学術論文誌JJAP (Japanese Journal of Applied Physics)にて掲載されました。

Characterization of Magnesium Channeled Implantation Layers inGaN(0001)
Atsushi Suyama1,2. Hitoshi Kawanowa2, Hideaki Minagawa2, Junko Maekawa2,
Shinji Nagamachi2, Masahiko Aoki2, Akio Ohta1, Katsunori Makihara1
and Seiichi Miyazaki1

1Graduate school of Engineering, Nagoya University,  2Iont Technology Center CO., Ltd,