皆様のご来場を心よりお待ちしております。
【開催期日】 2019年2月20日（水） 10:30～17:00
【開催場所】 大阪産業創造館 3F・4F ※受付は4F
【ブース番号】 29
☆主なご案内内容☆
物理分析
TEM、ESCA、RBS、SIMS、SEMなどの装置を用いた表面分析の受託サービス
デバイス加工
イオン注入からアニール、成膜、その他工程のソリューション
過去の研究実績
2010年～2018年に発表した共同研究をご紹介
【2018学会発表内容】
Channeling RBSによるSiC格子位置不純物の定量評価
高温でイオン注入されたGaN基板のTEMによる欠陥評価
※物理分析＆イオン注入／アニール処理について詳しく
丁寧にご説明させていただきます。
JP
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