半導体プロセス・研究開発

半導体を中心に基礎研究から新規材料開発、デバイス開発まで社会課題・ニーズにお応えすべく自社、共同研究、委託研究を行っております。研究段階から量産までの半導体の前工程試作をニーズに合わせて設計から特性評価まで対応いたします。

特徴

  • アイコン|技術

    イオン注入を中心とした
    プロセス技術

    多種多様なイオン注入や成膜、高温まで可能な熱処理など、様々な材料、ニーズに対応可能です。

  • アイコン|材料

    新規材料(SiC、GaN、Ga2O3等)の対応実績

    新材料、新デバイス開発、シミュレーション開発など半導体への豊富な対応実績により研究開発を促進しています。

  • アイコン|ネットワーク

    共同研究を中心とした
    幅広いネットワーク

    数多くの研究開発機関や外部ファブとのネットワークにより、半導体の発展に貢献しています。

半導体プロセスネットワークができること

半導体プロセスネットワークは、予算規模に合わせたフレキシブルなサービスです。
試作に必要な設計、加工、評価の環境を構築いたします。それらを活用しお客様の設計したデバイスの一貫試作や工程試作のコーディネートを進行し評価まで実施します。
小規模、単発的な案件に対しても、積極的に対応いたします。
何よりも、お客様の立場に立った親身な対応を第一に心がけております。

サービス

サービス開始までの流れ

  • 01

    お問い合わせ・相談

    1週間以内
  • 02

    初回打ち合わせ

    1〜6ヶ月(内容によります)
  • 03

    検討/
    準備完了、計画案提示

    1〜2週間(内容によります)
  • 04

    受託(委託)決定

    1〜4週間(内容によります)
  • 05

    試作開始

     

     

よくある質問

Q.

小規模、単工程の依頼も可能でしょうか?

A.

ご依頼可能です。是非ご相談お願いいたします。

Q.

量産対応は可能でしょうか?その場合の最大数量は?

A.

対応可能です。 最大数量については加工条件もしくは使用装置によって異なりますので、個別にご相談お願いいたします。

Q.

費用はどの程度でしょうか?

A.

単工程のご相談は見積システムをご利用お願いいたします。量産対応に関しては、お問い合わせフォームよりご相談お願いいたします。

Q.

納期はどの程度でしょうか?

A.

ご依頼内容によって変わりますので、個別にご相談お願いいたします。

Q.

共同研究、開発はどのように行うのですか?

A.

最初に共同研究のテーマや内容及び役割分担等について相談させていただきます。テーマと内容や役割分担等が決まりましたら共同研究に関する契約を締結し、共同研究実施となります。

Q.

機密保持に関する取扱いを教えてください。

A.

基本的にご依頼内容は機密情報として取り扱います。必要な場合は、お客様と事前に機密保持契約の締結をさせていただきます。

Q.

装置を見学することは可能ですか?

A.

見学、立会は可能です。

Q.

特許出願に関する取り決めなどについて教えてください。

A.

特許等の取決めに関しては、職務発明規定にて定めています。

Q.

成果報告はどのような形で行いますか?

A.

測定や解析を含むご依頼の場合はサンプル返却及び報告書を提出いたします。

Q.

どのような材料が対応可能でしょうか?

A.

Si、SiC、GaN、Ga2O3等の半導体材料を主に扱っております。その他の材料に関してはお気軽にお問い合わせください。

Q.

分析や評価等も対応可能でしょうか?

A.

弊社の分析サービス部門で様々な分析、評価が可能ですので、お気軽にご相談お願いいたします。

Q.

過去の研究実績を教えてください。

A.

過去の研究実績につきましては研究開発実績の記事をご参照ください。

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