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ニュース
2022.02.09
パワー半導体・IGBTに求められるウエハの裏面加工の一貫工程から単工程での御相談に応じます。
裏面加工はチップ完成間際のため、その処理能力の安定性確保はキャッシュフロー改善と顧客満足のためには非常に重要ですので、需要急増時のボトルネック解消や突然の装置故障に備えたバイパスラインの確保、BCP対応としてご活用ください。
パワー半導体・前工程に携わる企業様向けに！
需要急増に伴う半導体の増産が必要になった、あるいは装置故障のリスクヘッジやBCP確立のためバックアップのラインが必要となった・・・・
そんな時に 弊社は お役に立ちます。
パワー半導体では電気抵抗を減らすためにウエハを薄くする裏面研削・エッチング工程や 高性能IGBTに必要なフィールドストップ層、コレクタ層形成のための裏面イオン注入工程、並びに イオン注入後の活性化アニール工程、縦方向に電流を流すための裏面電極形成工程が必要とされます。これらの工程をまとめてお任せください。別々の加工先に依頼する手間を減らし 窓口を一本化することができます。
詳細につきましては、弊社ホームページの半導体プロセスサービス ページにてご紹介しております。
こちらからご覧ください。↓
https://iontc.co.jp/project/semiconductor/#page_top
パワー半導体・前工程に携わる企業様向けに！
需要急増に伴う半導体の増産が必要になった、あるいは装置故障のリスクヘッジやBCP確立のためバックアップのラインが必要となった・・・・
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パワー半導体では電気抵抗を減らすためにウエハを薄くする裏面研削・エッチング工程や 高性能IGBTに必要なフィールドストップ層、コレクタ層形成のための裏面イオン注入工程、並びに イオン注入後の活性化アニール工程、縦方向に電流を流すための裏面電極形成工程が必要とされます。これらの工程をまとめてお任せください。別々の加工先に依頼する手間を減らし 窓口を一本化することができます。
詳細につきましては、弊社ホームページの半導体プロセスサービス ページにてご紹介しております。
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