４）チャネリングイオン注入の基礎

単結晶の特定の結晶軸に沿ってイオン注入を行うと結晶軸に沿って入射イオンが深くまで侵入する現象があり、これをチャネリングイオン注入と呼んでいます。
最近 シリコンカーバイド等　化合物半導体デバイスの分野において チャネリング現象を利用してイオン注入を行う事例が報告されています 。

当コラムではチャネリング現象における入射イオンとターゲット原子との衝突に伴うエネルギー損失などの基礎理論とMARLOWE による解析結果を紹介します。

チャネリングイオン注入の基礎