電解質と半導体とのショットキー接触を使用して空乏領域を形成し静電容量を測定する手法
深さ方向に対するキャリア濃度のプロファイルが可能 ※Si, SiC, GaN材料に対応可
・B注入サンプルのSIMSとECVのプロファイル比較 ・レーザーアニール後のB注入サンプルのSIMSとECVプロファイルの比較
