透過電子顕微鏡(TEM)

分析原理

薄片試料に電子線を照射し、透過電子を観察する手法

特徴

サブナノオーダーの空間分解能の観察が可能
電子線回折により結晶構造解析が可能

事例

・半導体の格子レベルの欠陥解析
・局所的な結晶構造把握
・STEM/EDX、EELSによる局所的元素分析
 (分析内容により協力機関での対応)

TEMの分析例

半導体微細構造の形状観察の写真

半導体微細構造の形状観察

SiC半導体の積層欠陥端部のTEMによる格子像観察の写真

SiC半導体の積層欠陥端部のTEMによる格子像観察

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