--- title: イオン注入とは？｜株式会社イオンテクノセンター description: イオンテクノセンターは「イオン注入」「物理分析」および研究開発におけるコンサルティングや技術開発サポートなどを行うプロフェッショナル集団です。最先端の技術と設備を備えた時代の求める創造的ラボラトリーとして企業や大学研究者の方々の良きパートナーを目指しています。 image: https://iontc.co.jp/hubfs/assets/images/common/ogp.png --- # イオン注入とは？ ## イオン注入 イオン注入とはイオン化した物質を固体に注入することによって、その固体の特性を変化させる加工方法です。半導体製造における前工程などでは、イオン注入を用いることによって、ウェハに適度な不純物を導入することができ、半導体デバイス特性を向上させることができます。 イオン注入とは何か、もっと基礎理論を知りたい方はこちらのコラムをご覧ください。 ⇨[「イオン注入について」](https://iontc.co.jp/service/ion_imp/topics/)   ###### イオン注入とは イオン化された原子あるいは分子を、10KeV〜8MeV（当社例）に加速し、試料（基材）に打ち込むことにより、試料（基材）の性質を変えることができます。 加速電圧が高いほど注入エネルギーが高くなり、深く注入されます。2値に帯電したイオンを利用することにより、注入エネルギーが2倍となり、より深い部位への注入が可能となります。   ![イオン注入とはの図](https://iontc.co.jp/hs-fs/hubfs/assets/images/ion/%E3%82%A4%E3%82%AA%E3%83%B3%E6%B3%A8%E5%85%A5%E3%81%A8%E3%81%AF_01.png?width=1760&height=668&name=%E3%82%A4%E3%82%AA%E3%83%B3%E6%B3%A8%E5%85%A5%E3%81%A8%E3%81%AF_01.png)   ###### イオン注入装置 ![イオン注入装置の図](https://iontc.co.jp/hs-fs/hubfs/assets/images/solution/ion_02.png?width=880&height=456&name=ion_02.png) ###### イオン注入の流れ - 01 ### イオン源 目的とする元素のイオン発生 - 02 ### 質量分析器 多種類のイオンを質量と電荷の違いによって分離 - 03 ### 分析スリット 必要なイオンのみを選択し加速管にイオンを導入 - 04 ### 加速管 所定のエネルギーにイオンを加速 - 05 ### Qレンズ ビームを整形 - 06 ### 走査器 イオンビームをX,Y方向に走査 - 07 ### エンドステーション 試料（基材）への注入 #### ホワイトペーパーダウンロード イオン注入についての基礎知識をまとめた [「イオン注入の基礎知識」のダウンロードはこちらから](https://iontc.co.jp/hubfs/pdf/ion_injection.pdf) ![white-paper@2x](https://iontc.co.jp/hubfs/assets/images/ion/white-paper@2x.png)   【免責事項】 当ウェブサイトの情報において、可能な限り正確な情報を掲載するよう努めておりますが、その内容の正確性および完全性を保証するものではございません。当ウェブサイトのコンテンツやURLは、予告なしに更新、追加、変更又は廃止、削除等されることがありますので、予めご了承ください。上記事由を含め、当該情報に基づいて被ったいかなる損害、損失について、当社は一切責任を負うものではございません。著者の所属は執筆時点のものです。当ウェブサイトならびに当ウェブサイト内のコンテンツ、個々の記事等の著作権は当社に帰属します。 ###### SiCへの高温イオン注入 下図の通り、室温注入と高温（500℃）注入でのダメージの差が大きいことがわかります。高温注入することによって、半導体への注入ダメージを緩和させることができます。 ![SiCへの高温イオン注入の図](https://iontc.co.jp/hs-fs/hubfs/SiC%E3%81%B8%E3%81%AE%E9%AB%98%E6%B8%A9%E3%82%A4%E3%82%AA%E3%83%B3%E6%B3%A8%E5%85%A5.png?width=420&height=199&name=SiC%E3%81%B8%E3%81%AE%E9%AB%98%E6%B8%A9%E3%82%A4%E3%82%AA%E3%83%B3%E6%B3%A8%E5%85%A5.png) SiC等化合物半導体への注入温度別の注入イメージ   ###### SiCへの高温アニール 下図の通り、高温（500℃）注入後のアニール処理でさらにダメージが抑えられていることがわかります。 ![SiCへの高温アニールの図](https://iontc.co.jp/hs-fs/hubfs/SiC%E3%81%B8%E3%81%AE%E9%AB%98%E6%B8%A9%E3%82%A2%E3%83%8B%E3%83%BC%E3%83%AB.png?width=420&height=199&name=SiC%E3%81%B8%E3%81%AE%E9%AB%98%E6%B8%A9%E3%82%A2%E3%83%8B%E3%83%BC%E3%83%AB.png) SiC等化合物半導体への注入温度別の注入イメージと アニール処理後のダメージの変化 ## トピックス [![8.チャネリング注入解析のためのモデル比較のサムネイル](https://iontc.co.jp/hubfs/assets/images/news/60_itc_logo.jpg) - 技術 ### 8.チャネリング注入解析のためのモデル比較 ](https://iontc.co.jp/service/ion_imp/topics/8.チャネリング注入解析のためのモデル比較) [![７）ダメージ蓄積モデルによるチャネリングシミュレーションのサムネイル](https://iontc.co.jp/hubfs/assets/images/news/60_itc_logo.jpg) - 技術 ### ７）ダメージ蓄積モデルによるチャネリングシミュレーション ](https://iontc.co.jp/service/ion_imp/topics/７ダメージ蓄積モデルによるチャネリングシミュレーション) [![６）チャネリングイオン注入の臨界角度に関する基礎のサムネイル](https://iontc.co.jp/hubfs/assets/images/news/60_itc_logo.jpg) - 技術 ### ６）チャネリングイオン注入の臨界角度に関する基礎 ](https://iontc.co.jp/service/ion_imp/topics/６チャネリングイオン注入の臨界角度に関する基礎) [もっと見る](https://iontc.co.jp/service/ion_imp/topics) [![Contact お問い合わせ](https://iontc.co.jp/hs-fs/hubfs/assets/images/common/contact.png?width=520&height=162&name=contact.png)](http://43325678.hs-sites.com/service/contact_service_01/) - [TOP](https://iontc.co.jp)      >       - [サービストップ](https://iontc.co.jp/service)      >       - [イオン注入サービストップ](https://iontc.co.jp/service/ion_imp/)      >       - イオン注入とは？ [![TOP](https://iontc.co.jp/hubfs/assets/images/common/btn-page-top.svg)](https://iontc.co.jp/service/about_ion/#)