イオン注入｜株式会社イオンテクノセンター

イオン注入

低エネルギーから8 MeVまでの多彩な注入装置を完備。世界でも数社しか技術を持たない高エネルギーでのイオン注入が可能であるという、トップレベルの技術と設備を誇ります。顧客の開発ニーズに対応した幅広いエネルギー範囲の注入、および高温イオン注入が可能です。特に高温イオン注入は、パワーエレクトロニクスや環境エネルギー分野の開発に必須なプロセス技術となっています。研究開発のためのサンプル作製から、半導体製造における一部工程の量産請負まで、多様なサービスを展開しています。

対応可能な加工条件

試料の種類	Si SiC、GaN、GaAs ダイヤモンド、ZnO、その他
試料のサイズ	小片　5mm□から最大12 inchまで
試料の厚み・形状	TAIKOウェハ薄ウェハ厚ウェハ

装置

ion_souchi_01
400 keVイオン注入装置
搬送方式：枚葉式自動搬送
試料サイズ：小片～φ6インチ
エネルギー：10～700 keV（2価利用）
（イオン種によります。事前にご相談ください）
注入温度設定：室温～600℃まで
注入角度（Tilt）：0～60°
注入回転角（Twist）：0～359°
ステップ注入：可
クリーン度（ブース内）：クラス100

ion_souchi_02
8 MeVイオン注入装置
搬送方式：枚葉式手動装填
試料サイズ：小片～φ8インチ
エネルギー：～8 MeV
(イオン種によります。事前にご相談ください）　
注入温度設定：室温
注入角度（Tilt）：0°、 7°など
注入回転角（Twist）：0～359°
対応イオン種：B、N、C、Al、P

ion_souchi_03
200 keVイオン注入装置
搬送方式：枚葉式自動搬送
試料サイズ：小片～φ6インチ
エネルギー：10～360 keV（2価利用）
(イオン種によります。事前にご相談ください）
注入温度設定：室温
注入角度（Tilt）：0～60°
注入回転角（Twist）：0～359°
ステップ注入：可
クリーン度（ブース内）：クラス100

ion_souchi_04
250 keVイオン注入装置
搬送方式：枚葉式自動搬送
試料サイズ：小片～φ12インチ
エネルギー：5～460 keV（2価利用）
(イオン種によります。事前にご相談ください）
注入温度設定：室温
注入角度（Tilt）：0～60°
注入回転角（Twist）：0～359°
クリーン度：クラス100

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