カーボンキャップ膜

カーボンキャップ膜

SiC半導体では、ドーパント活性化のための高温アニールが必須ですが、アニールの温度が高いため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。高温アニールだけでなく、カーボンキャップ膜成膜のニーズにもお応えいたします。

カーボンキャップ膜の効果

カーボンキャップ膜により、高温アニール後の表面の荒れが低減されます。

 

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対応可能な加工条件

方法

アセチレン(C2H2)を反応させて表面に膜を堆積させます。
*ガスを原料としてプラズマで分解して成膜することから、CVDに近い手法です。

膜種

DLC膜

膜厚

 標準:70nm(その他膜厚も可能)

成膜レート

標準:約7nm/min.

対応サイズ

小片5mm□から6inchまで

構成図

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成膜装置

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