SiC基板では、イオン注入時に発生した欠陥はその後のアニールでも回復しにくいことがあります。そのため、発生する欠陥・ダメージが緩和・低減するように、 SiC基板を高温にしながらイオン注入を行うことが多いです。
弊社ではイオン注入時に発生するダメージが緩和・低減させるために、基板を高温にした状態でイオン注入を行うことが可能です。
室温注入と高温(500℃)注入でのダメージの差に大きな変化が生じます。高温注入することによって、半導体への注入ダメージを緩和することができます。
ダメージの緩和などに必要なイオン注入が可能です。
注入時設定温度 |
室温〜600℃ |
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試料のサイズ |
室温 小片から12inchまで |
400 keVイオン注入装置
高温イオン注入についての弊社装置をまとめた
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