高温イオン注入

高温イオン注入

SiC基板では、イオン注入時に発生した欠陥はその後のアニールでも回復しにくいことがあります。そのため、発生する欠陥・ダメージが緩和・低減するように、 SiC基板を高温にしながらイオン注入を行うことが多いです。
弊社ではイオン注入時に発生するダメージが緩和・低減させるために、基板を高温にした状態でイオン注入を行うことが可能です。

高温イオン注入の効果

室温注入と高温(500℃)注入でのダメージの差に大きな変化が生じます。高温注入することによって、半導体への注入ダメージを緩和することができます。

 

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対応可能な加工条件

ダメージの緩和などに必要なイオン注入が可能です。

注入時設定温度

室温〜600℃

試料のサイズ

室温  小片から12inchまで
600℃  小片から6inchまで

装置

400keVイオン注入装置

400 keVイオン注入装置

ホワイトペーパーダウンロード

高温イオン注入についての弊社装置をまとめた
「高温イオン注入・高温アニール」のダウンロードはこちらから

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