高温高速アニール

化合物半導体の活性化に必要とされている高温高速アニールが可能です。

弊社ではSiCデバイスの作製時のダメージを緩和・低減させる、高温イオン注入からアニール時の基板の表面荒れを防ぐカーボンキャップ膜の成膜、高温高速アニール、キャップ膜の剥離までの一連のプロセスを、一括でお受けすることができます。また活性化アニールの際のSi蒸発による基板荒れを防ぐカーボンキャップ技術も提供可能です。