SiC半導体では、ドーパント活性化のための高温アニールが必須ですが、アニールの温度が高いため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。高温アニールだけでなく、カーボンキャップ膜成膜のニーズにもお応えいたします。
カーボンキャップ膜により、高温アニール後の表面の荒れが低減されます。
方法 |
アセチレン(C2H2)を反応させて表面に膜を堆積させます。 |
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膜種 |
DLC膜 |
膜厚 |
標準:70nm(その他膜厚も可能) |
成膜レート |
標準:約7nm/min. |
対応サイズ |
小片5mm□から6inchまで |
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