イオン注入
低エネルギーから8MeＶまでの多彩な注入装置を完備。世界でも数社しか技術を持たない高温イオン注入が可能であるという、トップレベルの技術と設備を誇ります。
顧客の開発ニーズに対応した幅広いエネルギー範囲の注入、および高温イオン注入が可能です。
特にパワーエレクトロニクスや環境エネルギー分野の開発に必須なプロセス技術となっています。
研究開発のためのサンプル作製から、半導体製造における一部工程の量産請負まで、多様なサービスを展開しています。
技術
注入イオン種
B、P、ASだけでなくAl、N原子など60種類以上の原子が注入可能です。
加速エネルギー
幅広いエネルギー領域でのご対応が可能です。
中電流装置 10～350keV（2価イオン利用で700keVまで）
高エネルギー装置 ～8MeV
高温注入
ダメージの緩和等に必要な高温イオン注入が可能です。（室温～600℃）
注入時設定温度
室温～600℃
（700keV以上は500℃まで）
（700keV以上は500℃まで）
試料のサイズ
室温 小片から12inchまで
600℃ 小片から6inchまで
（700keV以上は3ｲﾝﾁまで）
600℃ 小片から6inchまで
（700keV以上は3ｲﾝﾁまで）
様々な試料への対応
様々な試料に対してフレキシビリティーに対応致します。
試料の種類
Si
SiC、GaN、GaAs
ダイヤモンド、ZnO、その他
SiC、GaN、GaAs
ダイヤモンド、ZnO、その他
試料のサイズ
小片 5mm□から
最大12 inchまで
最大12 inchまで
試料の厚み・形状
TAIKOウェハ
薄ウェハ
厚ウェハ
粒体
薄ウェハ
厚ウェハ
粒体
装置
8MeV イオン注入装置
| 搬送方式 | 枚葉式手動装填 |
| エネルギー | ～8MeV |
| 注入温度設定 | 室温～500℃まで |
| 注入角度（Tilt） | 0°、 7° |
| 注入回転角（Twist） | 0～359° |
| 回転注入 | 不可 |
| 対応イオン種 | B、N、C、Al、P |
400keV イオン注入装置
| 搬送方式 | 枚葉式自動搬送 |
| エネルギー | 10～700keV （2価利用） |
| 注入温度設定 | 室温～600℃まで |
| 注入角度（Tilt） | 0～60° |
| 注入回転角（Twist） | 0～359° |
| ステップ注入 | 可 |
| クリーン度（ブース内） | クラス100 |
200keV イオン注入装置
| 搬送方式 | 枚葉式自動搬送 |
| エネルギー | 10～360keV （2価利用） |
| 注入温度設定 | 室温～600℃まで |
| 注入角度（Tilt） | 0～60° |
| 注入回転角（Twist） | 0～359° |
| ステップ注入 | 可 |
| クリーン度（ブース内） | クラス100 |
