研究開発サポートから少量量産まで、幅広く対応しております。機密保持はもちろんのこと、短納期、臨機応変なスピーディーな対応が強みです。
イオン注入は形状の色味の変化もなく、目で見るだけでは判らないもの。私たちは「信頼」を大切にし、お客様のご期待に添うべく最適なサービスを確実に実施します。長年の実績と経験がその証です。
Si基板に使われるH,B,P,As等、SiC基板基板に使われるN,AI等、GaN基板に使われるFe,Mg,Si等、60種類以上のイオン種に対応しています。
サイズは小片から大口径、種類もシリコン基板からSiC、GaN、Ga2O3等化合物半導体基板まで対応できます。
もちろんその他材料も、幅広く取り扱っています。
ダメージの緩和が期待できる高温イオン注入に対応しています。注入時設定温度は、室温〜600℃までとその幅広さが強みです。600℃でも、小片から6inchまで対応可能です。
高加速エネルギーでの注入ができます。5keV~8MeV での対応が可能です。幅広いエネルギー領域での対応ができるのがITCの強みです。
B、P、ASだけでなくAI、N原子など60種類以上の原子が注入可能です。
幅広いエネルギー領域でのご対応が可能です。
中電流装置 5〜700keV(2価イオン利用にて。イオン種によります。事前にご相談ください)
高エネルギー装置 〜8MeV(イオン種によります。事前にご相談ください)
イオン注入、高温イオン注入、高温高速アニール、カーボンキャプ膜など
多様なサービスラインナップを有します。
また、上記の工程を一括で受注することも可能です。詳しくはお問い合わせください。
イオン注入についての基礎知識をまとめた
「イオン注入の基礎知識」のダウンロードはこちらから
など